Name: IPP60R190P6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP60R190P6XKSA1-ND
Price: 4.32975 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPP60R190P6XKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPP60R190P6XKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPP60R190P6XKSA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Valmistajan vakio toimitusaika	17 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 600 V 20,2A (Tc) 151W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO220-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPP60R190P6XKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4,5V @ 630µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 37 nC @ 10 V
Sarja CoolMOS™ P6	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1750 pF @ 100 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 151W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 600 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO220-3
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 20,2A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-220-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IPP60R190
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 190mOhm @ 7,6A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 10 263

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki