Name: IPP60R022S7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP60R022S7XKSA1-ND
Price: 16.02635 EUR
Availability: OutOfStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPP60R022S7XKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPP60R022S7XKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPP60R022S7XKSA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 23A TO220-3
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 600 V 23A (Tc) 390W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO220-3-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPP60R022S7XKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4,5V @ 1,44mA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 150 nC @ 12 V
Sarja CoolMOS™S7	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 5639 pF @ 300 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 390W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 600 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO220-3-1
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 23A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-220-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 12V	Päätuotenumero IPP60R022
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 22mOhm @ 23A, 12V