Name: IPP180N10N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP180N10N3GXKSA1-ND
Price: 2.44725 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPP180N10N3GXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPP180N10N3GXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPP180N10N3GXKSA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
Valmistajan vakio toimitusaika	28 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO220-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPP180N10N3GXKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,5V @ 33µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Sarja OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1800 pF @ 50 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 71W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO220-3
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 43A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-220-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Päätuotenumero IPP180
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 18mOhm @ 33A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 738

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki