Name: IPN70R1K4P7SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN70R1K4P7SATMA1TR-ND
Price: 0.9287 EUR
Availability: InStock

IPN70R1K4P7SATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IPN70R1K4P7SATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) IPN70R1K4P7SATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPN70R1K4P7SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPN70R1K4P7SATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Valmistajan vakio toimitusaika	21 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 700 V 4A (Tc) 6,2W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-SOT223
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPN70R1K4P7SATMA1 -mallit

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolMOS™ P7
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	700 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	4A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,4Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,5V @ 40µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	4.7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±16V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	158 pF @ 400 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	6,2W (Tc)
Toimintalämpötila	-40°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-SOT223
Pakkaus / kotelo	TO-261-4, TO-261AA
Päätuotenumero	IPN70R1

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	0,74000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	0,92870 €

IPN70R1K4P7SATMA1