Name: IPG20N06S4L11ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPG20N06S4L11ATMA2TR-ND
Price: 2.5351 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPG20N06S4L11ATMA2
DigiKeyn tuotenumero	448-IPG20N06S4L11ATMA2TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IPG20N06S4L11ATMA2CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPG20N06S4L11ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPG20N06S4L11ATMA2
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 60V 20A (Tc) 65W (Tc) Kiinnitys pintaan, Helposti tarkistettava reuna PG-TDSON-8-10
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Konfiguraatio	2 N-kanavaa (kaksinkertainen)
FET-ominaisuus	Logiikkatasoportti
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	11,2mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,2V @ 28µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	53nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	4020pF @ 25V
Teho - maksimi	65W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan, Helposti tarkistettava reuna
Pakkaus / kotelo	8-PowerVDFN
Valmistajan laitepakkaus	PG-TDSON-8-10
Päätuotenumero	IPG20N