Name: IPDQ65R018CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ65R018CM8XTMA1TR-ND
Price: 13.13985 EUR
Availability: InStock

Uutta DigiKeyllä

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPDQ65R018CM8XTMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPDQ65R018CM8XTMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IPDQ65R018CM8XTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPDQ65R018CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPDQ65R018CM8XTMA1
Kuvaus	IPDQ65R018CM8XTMA1
Valmistajan vakio toimitusaika	20 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 127A (Tc) 625W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HDSOP-22
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPDQ65R018CM8XTMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolMOS™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	127A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	18mOhm @ 55,6A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,7V @ 1,48mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	173 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	8290 pF @ 400 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	625W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-HDSOP-22
Pakkaus / kotelo	22-PowerBSOP-moduuli