Name: IPD65R660CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD65R660CFDAATMA1TR-ND
Price: 3.012 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPD65R660CFDAATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPD65R660CFDAATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IPD65R660CFDAATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPD65R660CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPD65R660CFDAATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Valmistajan vakio toimitusaika	29 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 6A (Tc) 62,5W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO252-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPD65R660CFDAATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Valm. Infineon Technologies	Vgs (maks.) ±20V
Sarja CoolMOS™	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 543 pF @ 100 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tehohäviö (maks.) 62,5W (Tc)
Osan tila Aktiivinen	Toimintalämpötila -40°C – 150°C (TJ)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Luokka Autoteollisuus
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Hyväksyntä AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 6A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-TO252-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 660mOhm @ 3,22A, 10V	Päätuotenumero IPD65R660
Vgs(th) (maks.) @ Id 4,5V @ 214,55µA