Name: IPD65R1K4C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD65R1K4C6ATMA1TR-ND
Price: 1.4558 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPD65R1K4C6ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPD65R1K4C6ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IPD65R1K4C6ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPD65R1K4C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPD65R1K4C6ATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 3.2A TO252-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 3,2A (Tc) 28W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO252-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPD65R1K4C6ATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,5V @ 100µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 10.5 nC @ 10 V
Sarja CoolMOS™ C6	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 225 pF @ 100 V
Osan tila Viimeinen ostohetki	Tehohäviö (maks.) 28W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO252-3
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 3,2A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IPD65R1
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 1,4Ohm @ 1A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Korvaa (2)

Osanumero	Valmistaja	Saatavana oleva määrä	DigiKeyn tuotenumero	Yksikköhinta	Korvaava tyyppi
IPD70R1K4P7SAUMA1	Infineon Technologies	7 535	IPD70R1K4P7SAUMA1CT-ND	0,83000 €	Samankaltainen
STD5NK60ZT4	STMicroelectronics	2 435	497-5890-1-ND	2,32000 €	Samankaltainen