Name: IPD110N12N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD110N12N3GATMA1TR-ND
Price: 3.02455 EUR
Availability: InStock

IPD110N12N3GATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IPD110N12N3GATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) IPD110N12N3GATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPD110N12N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPD110N12N3GATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Valmistajan vakio toimitusaika	20 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 120 V 75A (Tc) 136W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO252-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPD110N12N3GATMA1 -mallit

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	120 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	75A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	11mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 83µA (tyyp.)
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	4310 pF @ 60 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	136W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO252-3
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	IPD110

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	2,41000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	3,02455 €

IPD110N12N3GATMA1