Name: IPB80N06S209ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB80N06S209ATMA2TR-ND
Price: 2.67315 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPB80N06S209ATMA2
DigiKeyn tuotenumero	IPB80N06S209ATMA2TR-ND - Rullattu teippi (TR) IPB80N06S209ATMA2CT-ND - Cut Tape (CT) IPB80N06S209ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPB80N06S209ATMA2
Kuvaus	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Valmistajan vakio toimitusaika	9 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-3-2
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPB80N06S209ATMA2 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	55 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	8,8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 125µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2360 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	190W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO263-3-2
Pakkaus / kotelo	TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Päätuotenumero	IPB80N