IPB60R190P6ATMA1 on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.
Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen


Infineon Technologies
Varastossa: 1 137
Yksikköhinta : 2,39000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


Rohm Semiconductor
Varastossa: 811
Yksikköhinta : 3,26000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


Vishay Siliconix
Varastossa: 0
Yksikköhinta : 1,71560 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


STMicroelectronics
Varastossa: 4 154
Yksikköhinta : 3,76000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


STMicroelectronics
Varastossa: 0
Yksikköhinta : 1,57996 €
Tekniset tiedot
PG-TO263-3
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.
PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB60R190P6ATMA1

DigiKeyn tuotenumero
IPB60R190P6ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR)
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
IPB60R190P6ATMA1
Kuvaus
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanavatyyppi 600 V 20,2A (Tc) 151W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-3
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
Tuotteen ominaisuudet
Tyyppi
Kuvaus
Valitse kaikki
Kategoria
Valm.
Sarja
Pakkaustapa
Rullattu teippi (TR)
Osan tila
Vanhentunut
FET-tyyppi
Teknologia
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7,6A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id
4,5V @ 630µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
1750 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (maks.)
151W (Tc)
Toimintalämpötila
-55°C – 150°C (TJ)
Luokka
-
Hyväksyntä
-
Asennustyyppi
Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus
PG-TO263-3
Pakkaus / kotelo
Päätuotenumero
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Vanhentunut
Tätä tuotetta ei enää valmisteta. Näytä Korvaavat osat.