IPB120N08S404ATMA1 Infineon Technologies | Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPB120N08S404ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPB120N08S404ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IPB120N08S404ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPB120N08S404ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPB120N08S404ATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 120A (Tc) 179W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPB120N08S404ATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 95 nC @ 10 V
Valm. Infineon Technologies	Vgs (maks.) ±20V
Sarja OptiMOS™	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 6450 pF @ 25 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tehohäviö (maks.) 179W (Tc)
Osan tila Vanhentunut	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Luokka Autoteollisuus
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Hyväksyntä AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 80 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 120A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-TO263-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 4,1mOhm @ 100A, 10V	Päätuotenumero IPB120
Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 120µA

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Korvaa (2)

Osanumero	Valmistaja	Saatavana oleva määrä	DigiKeyn tuotenumero	Yksikköhinta	Korvaava tyyppi
IAUS165N08S5N029ATMA1	Infineon Technologies	1 425	IAUS165N08S5N029ATMA1CT-ND	4,39000 €	MFR Recommended
SQM120N10-3M8_GE3	Vishay Siliconix	167	SQM120N10-3M8_GE3CT-ND	5,12000 €	Samankaltainen