Name: IAUS165N08S5N029ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUS165N08S5N029ATMA1TR-ND
Price: 4.68115 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IAUS165N08S5N029ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IAUS165N08S5N029ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) IAUS165N08S5N029ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IAUS165N08S5N029ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IAUS165N08S5N029ATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Valmistajan vakio toimitusaika	27 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 165A (Tc) 167W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HSOG-8-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IAUS165N08S5N029ATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 90 nC @ 10 V
Valm. Infineon Technologies	Vgs (maks.) ±20V
Sarja OptiMOS™	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 6370 pF @ 40 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tehohäviö (maks.) 167W (Tc)
Osan tila Aktiivinen	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Luokka Autoteollisuus
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Hyväksyntä AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 80 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 165A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-HSOG-8-1
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerSMD, lokinsiipi
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 2,9mOhm @ 80A, 10V	Päätuotenumero IAUS165
Vgs(th) (maks.) @ Id 3,8V @ 108µA