Name: IPB042N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB042N10N3GATMA1TR-ND
Price: 2.9116 EUR
Availability: InStock

IPB042N10N3GATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IPB042N10N3GATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) IPB042N10N3GATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPB042N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPB042N10N3GATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Valmistajan vakio toimitusaika	30 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 100A (Tc) 214W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPB042N10N3GATMA1 -mallit

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	4,2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,5V @ 150µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	117 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	8410 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	214W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO263-3
Pakkaus / kotelo	TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Päätuotenumero	IPB042

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	2,32000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	2,91160 €

IPB042N10N3GATMA1