IPB034N03LGATMA1 Infineon Technologies | Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit

IPB034N03LGATMA1 on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

Nexperia USA Inc.

Varastossa: 5

Yksikköhinta : 2,01000 €

Samankaltainen

Nexperia USA Inc.

Varastossa: 163

Yksikköhinta : 1,94000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPB034N03LGATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IPB034N03LGATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR)
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPB034N03LGATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 80A (Tc) 94W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,2V @ 250µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 51 nC @ 10 V
Sarja OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR)	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 5300 pF @ 15 V
Osan tila Vanhentunut	Tehohäviö (maks.) 94W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO263-3
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 80A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Päätuotenumero IPB034
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 3,4mOhm @ 30A, 10V