IPAW70R950CEXKSA1 on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

STMicroelectronics

Varastossa: 997

Yksikköhinta : 2,02000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPAW70R950CEXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	IPAW70R950CEXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPAW70R950CEXKSA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 700V 7.4A TO220-3-31
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 700 V 7,4A (Tc) 68W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO220-3-FP
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolMOS™ CE
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	700 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	7,4A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	950mOhm @ 1,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,5V @ 150µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	15.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	328 pF @ 100 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	68W (Tc)
Toimintalämpötila	-40°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO220-3-FP
Pakkaus / kotelo	TO-220-3, täysi pakkaus
Päätuotenumero	IPAW70