IPA65R420CFDXKSA1 Infineon Technologies | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

IPA65R420CFDXKSA1 on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Varastossa: 199

Yksikköhinta : 2,79000 €

Samankaltainen

onsemi

Varastossa: 355

Yksikköhinta : 1,31000 €

Samankaltainen

STMicroelectronics

Varastossa: 58

Yksikköhinta : 1,11000 €

Samankaltainen

Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa: 49

Yksikköhinta : 2,02000 €

Samankaltainen

Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa: 32

Yksikköhinta : 2,18000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPA65R420CFDXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	IPA65R420CFDXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPA65R420CFDXKSA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 8,7A (Tc) 31,2W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO220-3-111
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolMOS™
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	8,7A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	420mOhm @ 3,4A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,5V @ 340µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	870 pF @ 100 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	31,2W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO220-3-111
Pakkaus / kotelo	TO-220-3, täysi pakkaus
Päätuotenumero	IPA65R420