Name: IMW65R027M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R027M1HXKSA1-ND
Price: 13.69205 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMW65R027M1HXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMW65R027M1HXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMW65R027M1HXKSA1
Kuvaus	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Valmistajan vakio toimitusaika	23 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 47A (Tc) 189W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3-41
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMW65R027M1HXKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolSIC™ M1
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	47A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	34mOhm @ 38,3A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,7V @ 11mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	62 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+23V, -5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2131 pF @ 400 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	189W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO247-3-41
Pakkaus / kotelo	TO-247-3
Päätuotenumero	IMW65R027