Name: IMW65R015M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R015M2HXKSA1-ND
Price: 20.2055 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMW65R015M2HXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMW65R015M2HXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMW65R015M2HXKSA1
Kuvaus	SILICON CARBIDE MOSFET
Valmistajan vakio toimitusaika	23 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 93A (Tc) 341W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3-40
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolSiC™ Gen 2
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	93A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	15V, 20V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	13,2mOhm @ 64,2A, 20V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,6V @ 13mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	79 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+23V, -7V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2792 pF @ 400 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	341W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO247-3-40
Pakkaus / kotelo	TO-247-3
Päätuotenumero	IMW65R015