Name: IMW120R045M1XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW120R045M1XKSA1-ND
Price: 12.5249 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMW120R045M1XKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMW120R045M1XKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMW120R045M1XKSA1
Kuvaus	SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3-41
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMW120R045M1XKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolSiC™
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Ei uusiin suunnitelmiin
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	52A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	15V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	59mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,7V @ 10mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	52 nC @ 15 V
Vgs (maks.)	+20V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1900 pF @ 800 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	228W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO247-3-41
Pakkaus / kotelo	TO-247-3
Päätuotenumero	IMW120