Name: IMT65R50M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R50M2HXUMA1TR-ND
Price: 8.1073 EUR
Availability: InStock

Uusi tuote

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMT65R50M2HXUMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMT65R50M2HXUMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IMT65R50M2HXUMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMT65R50M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMT65R50M2HXUMA1
Kuvaus	SICFET N-CH 650V 48.1A PG-HSOF
Valmistajan vakio toimitusaika	13 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 48,1A (Tc) 237W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HSOF-8-2
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMT65R50M2HXUMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolSiC™ G2
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	48,1A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	15V, 18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	62mOhm @ 18,2A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,6V @ 3,7mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	22 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+25V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	790 pF @ 400 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	237W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-HSOF-8-2
Pakkaus / kotelo	8-PowerSFN

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Varastossa: 2 000

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®