Name: IMBG65R010M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND
Price: 27.7857 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMBG65R010M2HXTMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IMBG65R010M2HXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMBG65R010M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMBG65R010M2HXTMA1
Kuvaus	SILICON CARBIDE MOSFET
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 158A (Tc) 535W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-7-12
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMBG65R010M2HXTMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 9,1mOhm @ 92,1A, 20V
Valm. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,6V @ 18,7mA
Sarja CoolSiC™	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 112 nC @ 18 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +23V, -7V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 4001 pF @ 400 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 535W (Tc)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 158A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-TO263-7-12
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 15V, 20V	Pakkaus / kotelo TO-263-8, D2PAK (7 jalkaa + juotoskohta), TO-263CA