Name: IGT65R025D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGT65R025D2ATMA1TR-ND
Price: 13.6042 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IGT65R025D2ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IGT65R025D2ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IGT65R025D2ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IGT65R025D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IGT65R025D2ATMA1
Kuvaus	GANFET N-CH 650V 70A 8PSFN
Valmistajan vakio toimitusaika	27 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 70A (Tc) 236W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HSOF-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IGT65R025D2ATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 1,6V @ 6,1mA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 11 nC @ 3 V
Sarja CoolGaN™ G5	Vgs (maks.) -10V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 780 pF @ 400 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 236W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia GaNFET (galliumnitridi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Valmistajan laitepakkaus PG-HSOF-8
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 70A (Tc)	Pakkaus / kotelo 8-PowerSFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 30mOhm @ 18A