Name: IGLD65R055D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLD65R055D2AUMA1TR-ND
Price: 7.74335 EUR
Availability: InStock

IGLD65R055D2AUMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IGLD65R055D2AUMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IGLD65R055D2AUMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IGLD65R055D2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IGLD65R055D2AUMA1
Kuvaus	GANFET N-CH 650V 20A 8LDFN
Valmistajan vakio toimitusaika	35 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 20A (Tc) 91W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-LSON-8-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IGLD65R055D2AUMA1 -mallit

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolGaN™ G5
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	GaNFET (galliumnitridi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	-
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	70mOhm @ 7,9A
Vgs(th) (maks.) @ Id	1,6V @ 2,6mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	4.7 nC @ 3 V
Vgs (maks.)	-10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	340 pF @ 400 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	91W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-LSON-8-1
Pakkaus / kotelo	8-LDFN avoin juotoskohta

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	6,17000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	7,74335 €

IGLD65R055D2AUMA1