Name: IAUT300N08S5N011ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUT300N08S5N011ATMA1TR-ND
Price: 6.7268 EUR
Availability: InStock

N-kanavatyyppi 80 V 410A (Tj) 375W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HSOF-8-1

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IAUT300N08S5N011ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IAUT300N08S5N011ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IAUT300N08S5N011ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IAUT300N08S5N011ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IAUT300N08S5N011ATMA1
Kuvaus	MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Valmistajan vakio toimitusaika	27 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 410A (Tj) 375W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HSOF-8-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IAUT300N08S5N011ATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,8V @ 275µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 231 nC @ 10 V
Sarja OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 16250 pF @ 40 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 375W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Luokka Autoteollisuus
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 80 V	Hyväksyntä AEC-Q101
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 410A (Tj)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Valmistajan laitepakkaus PG-HSOF-8-1
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 1,1mOhm @ 100A, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerSFN