Name: IAUC120N04S6N009ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUC120N04S6N009ATMA1TR-ND
Price: 1.1797 EUR
Availability: OutOfStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IAUC120N04S6N009ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IAUC120N04S6N009ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) IAUC120N04S6N009ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IAUC120N04S6N009ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IAUC120N04S6N009ATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 40 V 120A (Tc) 150W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TDSON-8-33
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IAUC120N04S6N009ATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	7V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	0,9mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,4V @ 90µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	115 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	7360 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	150W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TDSON-8-33
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN
Päätuotenumero	IAUC120