Name: BSS127H6327XTSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS127H6327XTSA2TR-ND
Price: 0.46435 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

BSS127H6327XTSA2
DigiKeyn tuotenumero	BSS127H6327XTSA2TR-ND - Rullattu teippi (TR) BSS127H6327XTSA2CT-ND - Cut Tape (CT) BSS127H6327XTSA2DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	BSS127H6327XTSA2
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Valmistajan vakio toimitusaika	10 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 600 V 21mA (Ta) 500mW (Ta) Kiinnitys pintaan PG-SOT23
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	BSS127H6327XTSA2 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	SIPMOS®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	600 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	21mA (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	500Ohm @ 16mA, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,6V @ 8µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	1 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	28 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	500mW (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-SOT23
Pakkaus / kotelo	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Päätuotenumero	BSS127