Name: DMN60H080DS-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN60H080DS-7DITR-ND
Price: 0.46435 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMN60H080DS-7
DigiKeyn tuotenumero	DMN60H080DS-7DITR-ND - Rullattu teippi (TR) DMN60H080DS-7DICT-ND - Cut Tape (CT) DMN60H080DS-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMN60H080DS-7
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
Valmistajan vakio toimitusaika	40 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 600 V 80mA (Ta) 1,1W (Ta) Kiinnitys pintaan SOT-23-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3V @ 250µA
Valm. Diodes Incorporated	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 1.7 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 25 pF @ 25 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 1,1W (Ta)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 600 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 80mA (Ta)	Valmistajan laitepakkaus SOT-23-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 100Ohm @ 60mA, 10V	Päätuotenumero DMN60

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 11 460

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)