BSC120N03MSGATMA1 Infineon Technologies | Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

BSC120N03MSGATMA1
DigiKeyn tuotenumero	BSC120N03MSGATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) BSC120N03MSGATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) BSC120N03MSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	BSC120N03MSGATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 11A (Ta), 39A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TDSON-8-5
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	BSC120N03MSGATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2V @ 250µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Sarja OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1500 pF @ 15 V
Osan tila Vanhentunut	Tehohäviö (maks.) 2,5W (Ta), 28W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TDSON-8-5
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 11A (Ta), 39A (Tc)	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Päätuotenumero BSC120
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 12mOhm @ 30A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Korvaa (2)

Osanumero	Valmistaja	Saatavana oleva määrä	DigiKeyn tuotenumero	Yksikköhinta	Korvaava tyyppi
CSD17327Q5A	Texas Instruments	1 565	296-CSD17327Q5ACT-ND	1,41000 €	Samankaltainen
RS1E130GNTB	Rohm Semiconductor	2 400	RS1E130GNTBCT-ND	0,82000 €	Samankaltainen