Name: BSC088N15LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC088N15LS5ATMA1TR-ND
Price: 3.75245 EUR
Availability: OutOfStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

BSC088N15LS5ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-BSC088N15LS5ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-BSC088N15LS5ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-BSC088N15LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	BSC088N15LS5ATMA1
Kuvaus	TRENCH >=100V
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 150 V 11,7A (Ta), 87A (Tc) 2,5W (Ta), 139W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TDSON-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™ 5
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	150 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	11,7A (Ta), 87A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	8,8mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,3V @ 107µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	26 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	3500 pF @ 75 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,5W (Ta), 139W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TDSON-8
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN