Name: BSC0502NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC0502NSIATMA1TR-ND
Price: 1.79465 EUR
Availability: InStock

BSC0502NSIATMA1
DigiKeyn tuotenumero	BSC0502NSIATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) BSC0502NSIATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) BSC0502NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	BSC0502NSIATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 26A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 43W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TDSON-8-6
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	BSC0502NSIATMA1 -mallit

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	30 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	26A (Ta), 100A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	2,3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1600 pF @ 15 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,5W (Ta), 43W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TDSON-8-6
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN
Päätuotenumero	BSC0502

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	1,43000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	1,79465 €

BSC0502NSIATMA1