Name: AIMZA75R008M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMZA75R008M1HXKSA1-ND
Price: 53.965 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

AIMZA75R008M1HXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-AIMZA75R008M1HXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	AIMZA75R008M1HXKSA1
Kuvaus	AUTOMOTIVE_SICMOS
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 750 V 163A (Tc) 517W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-4-U02
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	AIMZA75R008M1HXKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,6V @ 32,4mA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 178 nC @ 18 V
Sarja CoolSiC™	Vgs (maks.) +23V, -5V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 6137 pF @ 500 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 517W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Luokka Autoteollisuus
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 750 V	Hyväksyntä AEC-Q101
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 163A (Tc)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 15V, 20V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO247-4-U02
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 7,2mOhm @ 90,3A, 20V	Pakkaus / kotelo TO-247-4