Name: IMZA75R008M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA75R008M1HXKSA1-ND
Price: 50.6769 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMZA75R008M1HXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMZA75R008M1HXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMZA75R008M1HXKSA1
Kuvaus	SILICON CARBIDE MOSFET
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 750 V 163A (Tc) 517W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-4-U02
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMZA75R008M1HXKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 7,2mOhm @ 90,3A, 20V
Valm. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,6V @ 32,4mA
Sarja CoolSiC™	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 178 nC @ 500 V
Pakkaustapa Putki	Vgs (maks.) +23V, -5V
Osan tila Ei uusiin suunnitelmiin	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 6137 pF @ 500 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 517W (Tc)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 750 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 163A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-TO247-4-U02
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 15V, 20V	Pakkaus / kotelo TO-247-4