Name: IMZA75R008M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA75R008M1HXKSA1-ND
Price: 35.0145 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMZA75R008M1HXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMZA75R008M1HXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMZA75R008M1HXKSA1
Kuvaus	SILICON CARBIDE MOSFET
Valmistajan vakio toimitusaika	23 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 750 V 163A (Tc) 517W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-4-U02
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMZA75R008M1HXKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolSiC™
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	750 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	163A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	15V, 20V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	7,2mOhm @ 90,3A, 20V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,6V @ 32,4mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	178 nC @ 500 V
Vgs (maks.)	+23V, -5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	6137 pF @ 500 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	517W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO247-4-U02
Pakkaus / kotelo	TO-247-4