Name: AIMDQ75R016M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMDQ75R016M2HXTMA1TR-ND
Price: 24.30935 EUR
Availability: InStock

N-kanavatyyppi 750 V 103A (Tc) 394W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HDSOP-22

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

AIMDQ75R016M2HXTMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-AIMDQ75R016M2HXTMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-AIMDQ75R016M2HXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-AIMDQ75R016M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	AIMDQ75R016M2HXTMA1
Kuvaus	SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 750 V 103A (Tc) 394W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HDSOP-22
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	AIMDQ75R016M2HXTMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,6V @ 12,3mA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 74 nC @ 18 V
Sarja CoolSiC™	Vgs (maks.) +23V, -7V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2577 pF @ 500 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 394W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Luokka Autoteollisuus
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 750 V	Hyväksyntä AEC-Q101
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 103A (Tc)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 15V, 20V	Valmistajan laitepakkaus PG-HDSOP-22
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 14mOhm @ 55,8A, 20V	Pakkaus / kotelo 22-PowerBSOP-moduuli