Name: IRFD112
Brand: Harris Corporation
SKU: 2156-IRFD112-ND
Price: 0.58664 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IRFD112
DigiKeyn tuotenumero	2156-IRFD112-ND
Valmistaja	Harris Corporation
Valmistajan tuotenumero	IRFD112
Kuvaus	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 800mA (Tc) 1W (Tc) Läpivientiaukko 4-DIP, Hexdip
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Valm. Harris Corporation	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 7 nC @ 10 V
Pakkaustapa Irtotavara	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 135 pF @ 25 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 1W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 800mA (Tc)	Valmistajan laitepakkaus 4-DIP, Hexdip
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo 4-DIP (0,300", 7,62mm)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 800mOhm @ 800mA, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 821

Ei voi peruuttaa/ei voi palauttaa

MARKKINAPAIKAN TUOTE

Lähetetään noin 10 päivän sisällä, lähettäjänä Rochester Electronics LLC

Erillinen kiinteä toimitusmaksu 77,34 €

Enimmäisostorajoitus

Tällä tuotteella on enimmäisostomäärä voidaksemme vastata kaikkien asiakkaidemme tutkimus- ja kehitystarpeisiin. Tämän määrän voi ostaa 30 päivän välein ja kaikki rajoituksen ylittävät tilaukset voidaan peruuttaa.

Irtotavara:

821

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Irtotavara