Name: IRFD112
Brand: Harris Corporation
SKU: 2156-IRFD112-ND
Price: 0.59175 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IRFD112
DigiKeyn tuotenumero	2156-IRFD112-ND
Valmistaja	Harris Corporation
Valmistajan tuotenumero	IRFD112
Kuvaus	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 800mA (Tc) 1W (Tc) Läpivientiaukko 4-DIP, Hexdip
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Harris Corporation
Sarja	-
Pakkaustapa	Irtotavara
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	800mA (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	800mOhm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	135 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	1W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	4-DIP, Hexdip
Pakkaus / kotelo	4-DIP (0,300", 7,62mm)