IRFD110 Harris Corporation | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IRFD110
DigiKeyn tuotenumero	2156-IRFD110-ND
Valmistaja	Harris Corporation
Valmistajan tuotenumero	IRFD110
Kuvaus	1A, 100V, 0.600 OHM, N-CHANNEL
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 1A (Ta) 1,3W (Ta) Läpivientiaukko 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Harris Corporation
Sarja	-
Pakkaustapa	Irtotavara
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	1A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	540mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	8.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	180 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	1,3W (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Pakkaus / kotelo	4-DIP (0,300", 7,62mm)
Päätuotenumero	IRFD110