Name: GC20N65F
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GC20N65F-ND
Price: 4.1164 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

GC20N65F
DigiKeyn tuotenumero	3141-GC20N65F-ND
Valmistaja	Goford Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	GC20N65F
Kuvaus	N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
Valmistajan vakio toimitusaika	8 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 20A (Tc) 40W (Tc) Läpivientiaukko TO-220F
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Goford Semiconductor
Sarja	SuperJunction
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1603 pF @ 100 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	40W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-220F
Pakkaus / kotelo	TO-220-3, täysi pakkaus