Name: G080P06T
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G080P06T-ND
Price: 2.84885 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

G080P06T
DigiKeyn tuotenumero	3141-G080P06T-ND
Valmistaja	Goford Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	G080P06T
Kuvaus	P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Valmistajan vakio toimitusaika	8 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 60 V 195A (Tc) 294W (Tc) Läpivientiaukko TO-220
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Goford Semiconductor
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	195A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	7,5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	186 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	14692 pF @ 30 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	294W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-220
Pakkaus / kotelo	TO-220-3

Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Varastossa: 8

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki