Name: G3R20MT12N
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3R20MT12N-ND
Price: 60.9177 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

G3R20MT12N
DigiKeyn tuotenumero	1242-G3R20MT12N-ND
Valmistaja	GeneSiC Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	G3R20MT12N
Kuvaus	SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
Valmistajan vakio toimitusaika	20 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 105A (Tc) 365W (Tc) Runkokiinnitys SOT-227
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	GeneSiC Semiconductor
Sarja	G3R™
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	105A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	15V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	24mOhm @ 60A, 15V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,69V @ 15mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	219 nC @ 15 V
Vgs (maks.)	+20V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	5873 pF @ 800 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	365W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Runkokiinnitys
Valmistajan laitepakkaus	SOT-227
Pakkaus / kotelo	SOT-227-4, miniBLOC
Päätuotenumero	G3R20