Name: DIW065SIC049
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DIW065SIC049-ND
Price: 16.32755 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DIW065SIC049
DigiKeyn tuotenumero	4878-DIW065SIC049-ND
Valmistaja	Diotec Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	DIW065SIC049
Kuvaus	SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 60A, 6
Valmistajan vakio toimitusaika	10 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 60A (Tc) 550W (Tc) Läpivientiaukko TO-247
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	DIW065SIC049 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Diotec Semiconductor
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	49mOhm @ 30A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 10mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	128 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+18V, -5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2612 pF @ 600 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	550W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-247
Pakkaus / kotelo	TO-247-3