Name: DI200N10D2
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI200N10D2-ND
Price: 3.77755 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DI200N10D2
DigiKeyn tuotenumero	4878-DI200N10D2-ND
Valmistaja	Diotec Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	DI200N10D2
Kuvaus	MOSFET D2PAK N 100V 200A
Valmistajan vakio toimitusaika	8 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 200A (Tc) 340W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263AB (D2PAK)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	DI200N10D2 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Diotec Semiconductor
Sarja	-
Pakkaustapa	Irtotavara
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	200A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	2.3mOhm @ 120A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	262 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	16800 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	340W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-263AB (D2PAK)
Pakkaus / kotelo	TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB