Name: ZXMN6A25GTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN6A25GTATR-ND
Price: 1.757 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

ZXMN6A25GTA
DigiKeyn tuotenumero	ZXMN6A25GTATR-ND - Rullattu teippi (TR) ZXMN6A25GTACT-ND - Cut Tape (CT) ZXMN6A25GTADKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	ZXMN6A25GTA
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 4,8A (Ta) 2W (Ta) Kiinnitys pintaan SOT-223-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	ZXMN6A25GTA -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Diodes Incorporated
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	4,8A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	50mOhm @ 3,6A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1V @ 250µA (min.)
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	20.4 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1063 pF @ 30 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2W (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 155°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	SOT-223-3
Pakkaus / kotelo	TO-261-4, TO-261AA
Päätuotenumero	ZXMN6