Name: DMTH10H1M5STTW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H1M5STTW-13TR-ND
Price: 6.3252 EUR
Availability: InStock

Uusi tuote

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMTH10H1M5STTW-13
DigiKeyn tuotenumero	31-DMTH10H1M5STTW-13TR-ND - Rullattu teippi (TR) 31-DMTH10H1M5STTW-13CT-ND - Cut Tape (CT) 31-DMTH10H1M5STTW-13DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMTH10H1M5STTW-13
Kuvaus	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 386A (Tc) 4,92W (Ta), 535,7W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerDI1015-16
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Diodes Incorporated
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	386A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	214 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	13039 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	4,92W (Ta), 535,7W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerDI1015-16
Pakkaus / kotelo	16-PowerSOP-moduuli