Name: DMTH10H017LPDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H017LPDQ-13TR-ND
Price: 1.757 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMTH10H017LPDQ-13
DigiKeyn tuotenumero	31-DMTH10H017LPDQ-13TR-ND - Rullattu teippi (TR) 31-DMTH10H017LPDQ-13CT-ND - Cut Tape (CT) 31-DMTH10H017LPDQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMTH10H017LPDQ-13
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 100V 13A PWRDI50
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 100V 13A (Ta), 59A (Tc) 1,5W (Ta), 93W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerDI5060-8 (tyyppi E)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja	Diodes Incorporated
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Konfiguraatio	2 N-kanavaa (kaksinkertainen)
FET-ominaisuus	-
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	13A (Ta), 59A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	17,4mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	28,6nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1986pF @ 50V
Teho - maksimi	1,5W (Ta), 93W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN
Valmistajan laitepakkaus	PowerDI5060-8 (tyyppi E)
Päätuotenumero	DMTH10