Name: DMTH10H017LPDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H017LPDQ-13TR-ND
Price: 2.2841 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMTH10H017LPDQ-13
DigiKeyn tuotenumero	31-DMTH10H017LPDQ-13TR-ND - Rullattu teippi (TR) 31-DMTH10H017LPDQ-13CT-ND - Cut Tape (CT) 31-DMTH10H017LPDQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMTH10H017LPDQ-13
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 100V 13A PWRDI50
Valmistajan vakio toimitusaika	40 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 100V 13A (Ta), 59A (Tc) 1,5W (Ta), 93W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerDI5060-8 (tyyppi E)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 28,6nC @ 10V
Valmistaja Diodes Incorporated	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1986pF @ 50V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Teho - maksimi 1,5W (Ta), 93W (Tc)
Osan tila Aktiivinen	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Luokka Autoteollisuus
Konfiguraatio 2 N-kanavaa (kaksinkertainen)	Hyväksyntä AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 13A (Ta), 59A (Tc)	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 17,4mOhm @ 17A, 10V	Valmistajan laitepakkaus PowerDI5060-8 (tyyppi E)
Vgs(th) (maks.) @ Id 3V @ 250µA	Päätuotenumero DMTH10