Name: DMT6012LFDF-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT6012LFDF-7TR-ND
Price: 1.004 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMT6012LFDF-7
DigiKeyn tuotenumero	31-DMT6012LFDF-7TR-ND - Rullattu teippi (TR) 31-DMT6012LFDF-7CT-ND - Cut Tape (CT) 31-DMT6012LFDF-7DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMT6012LFDF-7
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 9,5A (Ta) 900mW (Ta), 11W (Tc) Kiinnitys pintaan U-DFN2020-6 (tyyppi F)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Diodes Incorporated
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	9,5A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	14mOhm @ 8,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,3V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	13.6 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	785 pF @ 30 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	900mW (Ta), 11W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	U-DFN2020-6 (tyyppi F)
Pakkaus / kotelo	6-UDFN avoin juotoskohta
Päätuotenumero	DMT6012