Name: DMT6012LFDF-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT6012LFDF-13-ND
Price: 0.29157 EUR
Availability: OutOfStock

DMT6012LFDF-13 on ostettavissa, mutta sitä ei tavallisesti pidetä varastossa.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

Panjit International Inc.

Varastossa: 0

Yksikköhinta : 0,76000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMT6012LFDF-13
DigiKeyn tuotenumero	DMT6012LFDF-13-ND - Rullattu teippi (TR)
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMT6012LFDF-13
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN
Valmistajan vakio toimitusaika	40 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 9,5A (Ta) 900mW (Ta), 11W (Tc) Kiinnitys pintaan U-DFN2020-6 (tyyppi F)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,3V @ 250µA
Valm. Diodes Incorporated	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 13.6 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR)	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 785 pF @ 30 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 900mW (Ta), 11W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 60 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 9,5A (Ta)	Valmistajan laitepakkaus U-DFN2020-6 (tyyppi F)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo 6-UDFN avoin juotoskohta
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 14mOhm @ 8,5A, 10V	Päätuotenumero DMT6012