Name: DMT10H025SSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H025SSS-13DITR-ND
Price: 1.09185 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMT10H025SSS-13
DigiKeyn tuotenumero	DMT10H025SSS-13DITR-ND - Rullattu teippi (TR) DMT10H025SSS-13DICT-ND - Cut Tape (CT) DMT10H025SSS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMT10H025SSS-13
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 7,4A (Ta) 1,4W (Ta) Kiinnitys pintaan 8-SO
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Diodes Incorporated
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	7,4A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	23mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	21.4 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1544 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	1,4W (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-SO
Pakkaus / kotelo	8-SOIC (0,154", 3,90mm leveys)
Päätuotenumero	DMT10