Name: DMT10H015LFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H015LFG-13TR-ND
Price: 2.259 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMT10H015LFG-13
DigiKeyn tuotenumero	31-DMT10H015LFG-13TR-ND - Rullattu teippi (TR) 31-DMT10H015LFG-13CT-ND - Cut Tape (CT) 31-DMT10H015LFG-13DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMT10H015LFG-13
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Valmistajan vakio toimitusaika	40 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 10A (Ta), 42A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) Kiinnitys pintaan POWERDI3333-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,5V @ 250µA
Valm. Diodes Incorporated	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 33.3 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1871 pF @ 50 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 2W (Ta), 35W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 10A (Ta), 42A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus POWERDI3333-8
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerVDFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 13,5mOhm @ 20A, 10V	Päätuotenumero DMT10

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Korvaa (2)

Osanumero	Valmistaja	Saatavana oleva määrä	DigiKeyn tuotenumero	Yksikköhinta	Korvaava tyyppi
DMT10H015LFG-7	Diodes Incorporated	1 176	DMT10H015LFG-7DICT-ND	1,80000 €	Parametrisesti vastaava
TPN13008NH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	1 638	TPN13008NHL1QCT-ND	1,46000 €	Samankaltainen