Name: DMP56D0UFB-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP56D0UFB-7DITR-ND
Price: 0.5522 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMP56D0UFB-7
DigiKeyn tuotenumero	DMP56D0UFB-7DITR-ND - Rullattu teippi (TR) DMP56D0UFB-7DICT-ND - Cut Tape (CT) DMP56D0UFB-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMP56D0UFB-7
Kuvaus	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 50 V 200mA (Ta) 425mW (Ta) Kiinnitys pintaan X1-DFN1006-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	DMP56D0UFB-7 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Diodes Incorporated
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	50 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	200mA (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	2,5V, 4V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	6Ohm @ 100mA, 4V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1,2V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	0.58 nC @ 4 V
Vgs (maks.)	±8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	50.54 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	425mW (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	X1-DFN1006-3
Pakkaus / kotelo	3-UFDFN
Päätuotenumero	DMP56

Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Varastossa: 4 117

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)