Name: DMP56D0UFB-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP56D0UFB-7DITR-ND
Price: 0.61495 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMP56D0UFB-7
DigiKeyn tuotenumero	DMP56D0UFB-7DITR-ND - Rullattu teippi (TR) DMP56D0UFB-7DICT-ND - Cut Tape (CT) DMP56D0UFB-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMP56D0UFB-7
Kuvaus	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Valmistajan vakio toimitusaika	40 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 50 V 200mA (Ta) 425mW (Ta) Kiinnitys pintaan X1-DFN1006-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	DMP56D0UFB-7 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 1,2V @ 250µA
Valm. Diodes Incorporated	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 0.58 nC @ 4 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±8V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 50.54 pF @ 25 V
FET-tyyppi P-kanava	Tehohäviö (maks.) 425mW (Ta)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 50 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 200mA (Ta)	Valmistajan laitepakkaus X1-DFN1006-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 2,5V, 4V	Pakkaus / kotelo 3-UFDFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 6Ohm @ 100mA, 4V	Päätuotenumero DMP56

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 3 649

Tehtaan varastossa: 63 000

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)