Name: DMN3730UFB4-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3730UFB4-7BTR-ND
Price: 0.36395 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMN3730UFB4-7B
DigiKeyn tuotenumero	31-DMN3730UFB4-7BTR-ND - Rullattu teippi (TR) 31-DMN3730UFB4-7BCT-ND - Cut Tape (CT) 31-DMN3730UFB4-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMN3730UFB4-7B
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 750mA (Ta) 470mW (Ta) Kiinnitys pintaan X2-DFN1006-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Diodes Incorporated
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	30 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	750mA (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	460mOhm @ 200mA, 4,5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	950mV @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	64.3 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	470mW (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	X2-DFN1006-3
Pakkaus / kotelo	3-XFDFN
Päätuotenumero	DMN3730

Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Varastossa: 1

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)